STMicroelectronics STripFET N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 120 A 330 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Technische Daten
- Breite
- 10.4mm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 120 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 75 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 3,7 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Höhe
- 4.6mm
Produktbeschreibung
N-Kanal STripFET™, STMicroelectronics
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059042878363
