STMicroelectronics STripFET II N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 80 A 300 W, 3-Pin TO-220
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 80 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 75 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 11 mΩ
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 117 nC bei 10 Vmm
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Gehäusegröße
- TO-220
Produktbeschreibung
N-Kanal STripFET™ II, STMicroelectronics. STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059042329612
