STMicroelectronics STF N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 15 A, 3-Pin TO-220FP
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Channel-Modus
- Depletion
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 15 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 600 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 0,24 Ω
- Gate-Schwellenspannung max.
- 25V
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 3
- Serie
- STF
Produktbeschreibung
Der STMicroelectronics N-Kanal-MDmesh-M6-Leistungs-MOSFET in einem TO-220FP-Gehäuse hat geringere Schaltverluste. Es verfügt außerdem über einen niedrigeren RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation.100%ig auf Stoßentladung geprüft Zenerdioden-geschützt
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
