STMicroelectronics STD N-Kanal, SMD MOSFET 480 V / 10 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Channel-Modus
- Depletion
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 10 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 480 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 0,38 Ω
- Gate-Schwellenspannung max.
- 25V
- Montage-Typ
- SMD
- Pinanzahl
- 3
- Serie
- STD
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 10 A
Drain-Source-Spannung max. = 480 V
Serie = STD
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,38 Ω
Channel-Modus = Depletion
Gate-Schwellenspannung max. = 25V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der STMicroelectronics N-Kanal-MDmesh-M6-Leistungs-MOSFET in einem DPAK-Gehäuse hat geringere Schaltverluste. Es verfügt außerdem über einen niedrigeren RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation.100%ig auf Stoßentladung geprüft Zenerdioden-geschützt
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
