STMicroelectronics ST8L65N0 N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET N 650 V / 35 A 167 W, 5-Pin PowerFlat HV
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- N
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 650V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 50mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.6V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 107nC
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- ±30 V
- Gehäusegröße
- PowerFlat HV
- Kabelkanaltyp
- N-Kanal
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 35A
Produktbeschreibung
Produkt Typ = Leistungs-MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 35A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 650V
Gehäusegröße = PowerFlat HV
Montageart = SMD
Pinanzahl = 5
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 50mΩ
Channel-Modus = N
Maximale Verlustleistung Pd = 167W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Breite = 8.1 mmmm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET