STMicroelectronics ST8L65 Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 650 V / 58 A 166 W, 5-Pin PowerFLAT

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

650V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

44mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.6V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

110nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

±30 V

Gehäusegröße

PowerFLAT

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

58A