STMicroelectronics ST N-Kanal, THT MOSFET-Modul 650 V / 68 A, 3-Pin TO-247

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Channel-Modus

Depletion

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

68 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Drain-Source-Widerstand max.

0,036 Ω

Gate-Schwellenspannung max.

4.75V

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Serie

ST