STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 119 A, 4-Pin HiP247-4

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

119 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Drain-Source-Widerstand max.

0.024 O

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

4

Serie

SCTWA90N65G2V-4