STMicroelectronics SCTW40N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 36 A 278 W, 3-Pin Hip-247

Name: STMicroelectronics SCTW40N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 36 A 278 W, 3-Pin Hip-247
Brand: STMICROELECTRONICS
Price: 13.85 EUR
Availability: OutOfStock

Marke: STMICROELECTRONICS

Hersteller Artikel-Nr.: SCTW40N120G2V

Produkt-Nr.: P-CC8M8N

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 1200V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 700mΩ
Durchlassspannung (Vf): 3.3V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 13nC
Gate-Source-spannung max (Vgs): 22 V
Gehäusegröße: Hip-247
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 36A

Produktbeschreibung

Das STMicroelectronics Siliziumkarbid Leistungs-MOSFET-Gerät wurde mit der Advanced und innovativen Sic MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus. Die Variation des Schaltverlustes ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.Sehr hohe Betriebstemperatur der Schaltstelle (TJ = 200 °C) Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität