STMicroelectronics SCTH90 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 116 A 484 W, 7-Pin H2PAK

Name: STMicroelectronics SCTH90 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 116 A 484 W, 7-Pin H2PAK
Brand: STMICROELECTRONICS
Price: 24.17 EUR
Availability: OutOfStock

Marke: STMICROELECTRONICS

Hersteller Artikel-Nr.: SCTH90N65G2V-7

Produkt-Nr.: P-CCZ3JW

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 650V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 24mΩ
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 157nC
Gate-Source-spannung max (Vgs): 22 V
Gehäusegröße: H2PAK
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 116A
Maximale Betriebstemperatur: 175°C

Produktbeschreibung

Der STMicroelectronics 650-V-Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET hat einen Nennstrom von 116 A und einen Ablass-/Quellenwiderstand von 18 m Ohm. Er verfügt über einen niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung. Die Variation des Schaltverlustes ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.Sehr hohe Betriebstemperatur der Schaltstelle (TJ = 175 °C) Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazitäten