STMicroelectronics SCTH40N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 33 A 250 W, 7-Pin H2PAK

Name: STMicroelectronics SCTH40N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 33 A 250 W, 7-Pin H2PAK
Brand: STMICROELECTRONICS
Price: 13.27 EUR
Availability: OutOfStock

Marke: STMICROELECTRONICS

Hersteller Artikel-Nr.: SCTH40N120G2V-7

Produkt-Nr.: P-CCZWK5

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 1200V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 105mΩ
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 61nC
Gate-Source-spannung max (Vgs): 22 V
Gehäusegröße: H2PAK
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 33A
Maximale Betriebstemperatur: 175°C

Produktbeschreibung

Das STMicroelectronics Siliziumkarbid Leistungs-MOSFET-Gerät wurde mit der Advanced und innovativen Sic MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus. Die Variation des Schaltverlustes ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.AEC-Q101-qualifiziert Sehr hohe Betriebstemperatur der Schaltstelle (TJ = 175 °C) Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität