STMicroelectronics SCTH40N, SMD MOSFET 1200 V / 33 A, 7-Pin H2PAK-7

Name: STMicroelectronics SCTH40N, SMD MOSFET 1200 V / 33 A, 7-Pin H2PAK-7
Brand: STMICROELECTRONICS

Marke: STMICROELECTRONICS

Hersteller Artikel-Nr.: SCTH40N120G2V-7

Produkt-Nr.: P-CCZWK5

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip: 1
Dauer-Drainstrom max.: 33 A
Drain-Source-Spannung max.: 1200 V
Drain-Source-Widerstand max.: 0,105 O
Gate-Schwellenspannung max.: 5V
Montage-Typ: SMD
Pinanzahl: 7
Serie: SCTH40N

Produktbeschreibung

Das STMicroelectronics Siliziumkarbid Leistungs-MOSFET-Gerät wurde mit der Advanced und innovativen Sic MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus. Die Variation des Schaltverlustes ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.AEC-Q101-qualifiziert Sehr hohe Betriebstemperatur der Schaltstelle (TJ = 175 °C) Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität