STMicroelectronics SCT025H120G3AG N-Kanal, SMD MOSFET 1200 V / 55 A, 7-Pin H2PAK-7
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 55 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 1200 V
- Montage-Typ
- SMD
- Pinanzahl
- 7
- Serie
- SCT025H120G3AG
- Transistor-Werkstoff
- SiC
Produktbeschreibung
MOSFET
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
