STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 900 V / 110 A 625 W, 7-Pin H2PAK-7

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

900V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

12mΩ

Durchlassspannung (Vf)

2.8V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

138nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

22 V

Gehäusegröße

H2PAK-7

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

110A