STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V Entleerung / 95 A 360 W, 7-Pin H2PAK
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -65°C
- Channel-Modus
- Entleerung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 650V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 0.02Ω
- Durchlassspannung (Vf)
- 2.8V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 162nC
- Gehäusegröße
- H2PAK
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 95A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 360W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 7
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- SCT
Produktbeschreibung
Der STMicroelectronics-MOSFET für Siliziumkarbidleistung in Kfz-Qualität wurde mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus.Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode Niedrige Kapazität
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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