STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V Entleerung / 95 A 360 W, 7-Pin H2PAK

Name: STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V Entleerung / 95 A 360 W, 7-Pin H2PAK
Brand: STMICROELECTRONICS
Price: 25.21 EUR
Availability: OutOfStock

Marke: STMICROELECTRONICS

Hersteller Artikel-Nr.: SCTH100N65G2-7AG

Produkt-Nr.: P-CC7SYL

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -65°C
Channel-Modus: Entleerung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 650V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 0.02Ω
Durchlassspannung (Vf): 2.8V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 162nC
Gate-Source-spannung max (Vgs): 22 V
Gehäusegröße: H2PAK
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 95A

Produktbeschreibung

Der STMicroelectronics-MOSFET für Siliziumkarbidleistung in Kfz-Qualität wurde mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus.Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode Niedrige Kapazität