STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 1200 V Entleerung / 100 A 420 W, 7-Pin H2PAK

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Entleerung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

1200V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.105Ω

Durchlassspannung (Vf)

2.8V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

162nC

Gehäusegröße

H2PAK

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

100A

Maximale Betriebstemperatur

200°C