STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 1200 V Entleerung / 100 A 420 W, 7-Pin H2PAK

Name: STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 1200 V Entleerung / 100 A 420 W, 7-Pin H2PAK
Brand: STMICROELECTRONICS
Price: 24.46 EUR
Availability: OutOfStock

Marke: STMICROELECTRONICS

Hersteller Artikel-Nr.: SCTW100N65G2AG

Produkt-Nr.: P-CC7SYR

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Entleerung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 1200V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 0.105Ω
Durchlassspannung (Vf): 2.8V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 162nC
Gate-Source-spannung max (Vgs): 22 V
Gehäusegröße: H2PAK
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 100A

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 100A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 1200V
Gehäusegröße = H2PAK
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 7
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 0.105Ω
Channel-Modus = Entleerung
Maximale Verlustleistung Pd = 420W
Maximale Betriebstemperatur = 200°C
Breite = 5.15 mmmm
Automobilstandard = Nein