STMicroelectronics SCT N-Kanal, THT SiC-Leistungsmodul 1200 V / 12 A, 3-Pin Hip247
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Channel-Modus
- Depletion
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 12 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 1200 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 0,52 Ω
- Gate-Schwellenspannung max.
- 25V
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 3
- Serie
- SCT
Produktbeschreibung
MOSFET
Produktangebot
6,86 €
8,16 € inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Lieferzeit ca. 2 Tage
Sichere Zahlung
Rechnung
Schneller Versand
etc.
Fragen zum Produkt?
Weitere Angebote
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
