STMicroelectronics SCT N-Kanal, THT MOSFET-Modul 1200 V / 20 A, 3-Pin Hip247
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Channel-Modus
- Depletion
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 20 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 1200 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 0,189 Ω
- Gate-Schwellenspannung max.
- 3.5V
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 3
- Serie
- SCT
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 20 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Gehäusegröße = Hip247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,189 Ω
Channel-Modus = Depletion
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der STMicroelectronics Siliziumkarbid Leistungs-MOSFET wird unter Ausnutzung der Advanced, innovativen Eigenschaften von Materialien mit großem Bandspalt hergestellt. Dies führt zu einem unübertroffenen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Gerätebereich und einer sehr guten Schaltleistung, die nahezu unabhängig von der Temperatur ist.Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode Niedrige Kapazität
Produktangebot
10,80 €
12,85 € inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Sichere Zahlung
Schneller Versand
etc.
Fragen zum Produkt?
Weitere Angebote
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
