STMicroelectronics SCT N-Kanal, THT MOSFET-Modul 1200 V / 12 A, 3-Pin HiP247

Name: STMicroelectronics SCT N-Kanal, THT MOSFET-Modul 1200 V / 12 A, 3-Pin HiP247
Brand: STMICROELECTRONICS

Marke: STMICROELECTRONICS

Hersteller Artikel-Nr.: SCT10N120

Produkt-Nr.: P-CC7SYG

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip: 1
Channel-Modus: Depletion
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 12 A
Drain-Source-Spannung max.: 1200 V
Drain-Source-Widerstand max.: 0,58 Ω
Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V
Montage-Typ: THT
Pinanzahl: 3
Serie: SCT

Produktbeschreibung

Der STMicroelectronics Siliziumkarbid Leistungs-MOSFET wird unter Ausnutzung der Advanced, innovativen Eigenschaften von Materialien mit großem Bandspalt hergestellt. Dies führt zu einem unübertroffenen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Gerätebereich und einer sehr guten Schaltleistung, die nahezu unabhängig von der Temperatur ist.Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode Niedrige Kapazität