STMicroelectronics SCT N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 30 A, 4-Pin HiP247-4
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 30 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 650 V
- Gehäusegröße
- HiP247-4
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 4
- Transistor-Werkstoff
- SiC
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 30 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = HiP247-4
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 4
Channel-Modus = Enhancement
Transistor-Werkstoff = SiC
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
