STMicroelectronics PNP Darlington-Transistor 100 V 10 A HFE:500, TO-247 3-Pin Einfach

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Basis-Emitter Spannung max.

5 V

Dauer-Kollektorstrom max.

10 A

Gehäusegröße

TO-247

Gleichstromverstärkung min.

500

Höhe

20.15mm

Kollektor-Abschaltstrom max.

1mA

Kollektor-Basis-Spannung max.

100 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.

3 V

Kollektor-Emitter-Spannung

100 V