STMicroelectronics N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 45 A, 4-Pin Hip247-4
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 45 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 650 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 0,067 Ω
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Gehäusegröße
- Hip247-4
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 4
- Transistor-Werkstoff
- Silicon
Produktbeschreibung
MOSFET
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
