STMicroelectronics N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 20 A, 3-Pin TO-220
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 20 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 650 V
- Gehäusegröße
- TO-220
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 3
- Transistor-Werkstoff
- Silicon
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 20 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Channel-Modus = Enhancement
Transistor-Werkstoff = Silicon
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
