STMicroelectronics N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 72 A 446 W, 3-Pin TO-247
Technische Daten
- Betriebstemperatur max.
- +150 °Cmm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 72 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 600 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 36 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4.75V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 3.25V
- Gate-Source Spannung max.
- ±25 V
- Gehäusegröße
- TO-247
Produktbeschreibung
Die neue MDmesh TM M6-Technologie umfasst die neuesten Fortschritte der bekannten und konsolidierten MDmesh-Familie von SJ MOSFETs. STMicroelectronics baut auf der vorherigen Generation von MDmesh Geräten auf durch seine neue M6-Technologie, die eine ausgezeichnete RDS(on)-Verbesserung pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhalten auf dem Markt kombiniert, sowie eine benutzerfreundliche Erfahrung für maximale Effizienz bei der Endanwendung.Geringere Schaltverluste Niedrigerer RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation Niedriger Gate-Eingangswiderstand Zenerdioden-geschützt
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 4017918919795
