STMicroelectronics N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 45 A 270 W, 3-Pin HiP247

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 45 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Gehäusegröße = HiP247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 100 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Verlustleistung max. = 270 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –10 V, +25 V
Transistor-Werkstoff = Simm
Höhe = 20.15mm

N-Kanal MOSFET aus Siliziumkarbid (SiC), STMicroelectronics. MOSFETs aus Siliziumkarbid (SiC) besitzen einen sehr niedrigen Widerstand zwischen Drain und Quelle im eingeschalteten Zustand für die 1200-V-Ausführung in Kombination mit ausgezeichneter Schaltleistung, was zu effizienteren und kompakteren Systemen führt.