STMicroelectronics N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 2,5 A 14 W, 14-Pin PowerFLAT 5 x 5
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1mm
- Betriebstemperatur min.
- -65 °Cmm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 2,5 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 40 V
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2V
- Gate-Source Spannung max.
- -15 V, +15 V
- Gehäusegröße
- PowerFLAT 5 x 5
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 2,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = PowerFLAT 5 x 5
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 14
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 14 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -15 V, +15 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Betriebstemperatur min. = -65 °Cmm
HF-MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics. Die HF-Transistoren sind LDMOS-geeignet für L-Band-Satelliten-Uplinks und DMOS-Leistungstransistoren in Anwendungen von 1 MHz bis 2 GHz.
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059042005875
