STMicroelectronics N-Kanal, SMD MOSFET 125 V / 20 A 389 W, 4-Pin M174
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 20 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 125 V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Gehäusegröße
- M174
- Höhe
- 4.11mm
- Montage-Typ
- SMD
- Pinanzahl
- 4
- Transistor-Konfiguration
- Einfach
Produktbeschreibung
HF-MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics. Die HF-Transistoren sind LDMOS-geeignet für L-Band-Satelliten-Uplinks und DMOS-Leistungstransistoren in Anwendungen von 1 MHz bis 2 GHz.
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059042310863
