STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 9,2 A 200 W, 3-Pin TO-247

Technische Daten

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

9,2 A

Drain-Source-Spannung max.

900 V

Drain-Source-Widerstand max.

980 mΩ

Gate-Schwellenspannung max.

4.5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Höhe

20.15mm

Montage-Typ

THT