STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 9 A 160 W, 3-Pin TO-247

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55 °Cmm

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

9 A

Drain-Source-Spannung max.

800 V

Drain-Source-Widerstand max.

900 mΩ

Gate-Ladung typ. @ Vgs

72 nC @ 10 Vmm

Gate-Schwellenspannung max.

4.5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V