STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 10,5 A 190 W, 3-Pin TO-247

Name: STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 10,5 A 190 W, 3-Pin TO-247
Brand: STMICROELECTRONICS

Marke: STMICROELECTRONICS

Hersteller Artikel-Nr.: STW12NK80Z

Produkt-Nr.: P-CC6XCT

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55 °Cmm
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 10,5 A
Drain-Source-Spannung max.: 800 V
Drain-Source-Widerstand max.: 750 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs: 87 nC @ 10 Vmm
Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V
Gate-Schwellenspannung min.: 3V
Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 10,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 800 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 750 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 190 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V bis 1200 V, STMicroelectronics