STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 17 A 190 W, 3-Pin TO-247

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1mm

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

17 A

Drain-Source-Spannung max.

500 V

Drain-Source-Widerstand max.

270 mΩ

Gate-Schwellenspannung max.

4.5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Höhe

20.15mm