STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 17 A 190 W, 3-Pin TO-220

Technische Daten

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

17 A

Drain-Source-Spannung max.

800 V

Drain-Source-Widerstand max.

295 mΩ

Gate-Ladung typ. @ Vgs

70 nC @ 10 Vmm

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Höhe

15.75mm