STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 11 A 35 W, 3-Pin TO-220FP
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -65 °Cmm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 11 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 800 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 400 mΩ
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 43,6 nC bei 10 Vmm
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 3V
- Gate-Source Spannung max.
- -30 V, +30 V
Produktbeschreibung
N-Kanal MDmesh™, 800 V/1500 V, STMicroelectronics
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059042985566
