STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 11 A 150 W, 3-Pin TO-247

Name: STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 11 A 150 W, 3-Pin TO-247
Brand: STMICROELECTRONICS

Marke: STMICROELECTRONICS

Hersteller Artikel-Nr.: STW11NM80

Produkt-Nr.: P-CDCW47

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -65 °Cmm
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 11 A
Drain-Source-Spannung max.: 800 V
Drain-Source-Widerstand max.: 400 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs: 43,6 nC bei 10 Vmm
Gate-Schwellenspannung max.: 5V
Gate-Schwellenspannung min.: 3V
Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 11 A
Drain-Source-Spannung max. = 800 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 400 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 150 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 43,6 nC bei 10 Vmm
Betriebstemperatur min. = -65 °Cmm

N-Kanal MDmesh™, 800 V/1500 V, STMicroelectronics