STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 17 A 30 W, 3-Pin TO-220FP

Technische Daten

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

17 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Drain-Source-Widerstand max.

190 mΩ

Gate-Ladung typ. @ Vgs

46 nC @ 10 Vmm

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Gehäusegröße

TO-220FP