STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 17 A 125 W, 3-Pin TO-220

Name: STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 17 A 125 W, 3-Pin TO-220
Brand: STMICROELECTRONICS

Marke: STMICROELECTRONICS

Hersteller Artikel-Nr.: STP24NM60N

Produkt-Nr.: P-CC2K6N

Technische Daten

Betriebstemperatur max.: +150 °Cmm
Betriebstemperatur min.: -55 °Cmm
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 17 A
Drain-Source-Spannung max.: 650 V
Drain-Source-Widerstand max.: 190 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.: 4V
Gate-Schwellenspannung min.: 2V
Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 17 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 190 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 125 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 46 nC @ 10 Vmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

N-Kanal MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics