STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 138 A 625 W, 3-Pin Max247

Technische Daten

Breite

5.3mm

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

138 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Drain-Source-Widerstand max.

15 mΩ

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Gate-Source Spannung max.

–25 V, +25 V

Höhe

20.3mm