STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 29 A 210 W, 3-Pin TO-220

Technische Daten

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

29 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Drain-Source-Widerstand max.

105 mΩ

Gate-Ladung typ. @ Vgs

84 nC @ 10 Vmm

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Gate-Source Spannung max.

–25 V, +25 V

Gehäusegröße

TO-220