STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 35 W, 3-Pin TO-220FP

Technische Daten

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

20 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Drain-Source-Widerstand max.

165 mΩ

Gate-Ladung typ. @ Vgs

60 nC @ 10 Vmm

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Gate-Source Spannung max.

–25 V, +25 V

Höhe

16.4mm