STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 140 W, 3-Pin TO-247

Name: STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 140 W, 3-Pin TO-247
Brand: STMICROELECTRONICS

Marke: STMICROELECTRONICS

Hersteller Artikel-Nr.: STW26NM60N

Produkt-Nr.: P-CCZ3V4

Technische Daten

Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 20 A
Drain-Source-Spannung max.: 600 V
Drain-Source-Widerstand max.: 165 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs: 60 nC @ 10 Vmm
Gate-Schwellenspannung max.: 4V
Gate-Schwellenspannung min.: 2V
Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V
Höhe: 20.15mm

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 20 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Serie = MDmesh
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 165 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 140 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Transistor-Werkstoff = Simm
Höhe = 20.15mm

N-Kanal MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics