STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11 A 25 W, 3-Pin TO-220FP
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 11 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 600 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 360 mΩ
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 30 nC @ 10 Vmm
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2V
- Gate-Source Spannung max.
- –25 V, +25 V
- Gehäusegröße
- TO-220FP
Produktbeschreibung
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-220FP
Drain-Source-Widerstand max. = 360 mΩ
Transistor-Werkstoff = Simm
N-Kanal MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059042198393
