STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 21 A 35 W, 3-Pin TO-220FP
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 21 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 500 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 158 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2V
- Gate-Source Spannung max.
- –25 V, +25 V
- Höhe
- 16.4mm
- Montage-Typ
- THT
Produktbeschreibung
N-Kanal MDmesh™, 500 V, STMicroelectronics
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059042879940
