STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 21 A 150 W, 3-Pin TO-247

Technische Daten

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

21 A

Drain-Source-Spannung max.

500 V

Drain-Source-Widerstand max.

158 mΩ

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Gate-Source Spannung max.

–25 V, +25 V

Höhe

20.15mm

Montage-Typ

THT