STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 12 A 25 W, 3-Pin TO-220FP

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1mm

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

12 A

Drain-Source-Spannung max.

500 V

Drain-Source-Widerstand max.

320 mΩ

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Gate-Source Spannung max.

–25 V, +25 V

Höhe

16.4mm