STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET 1500 V / 2,5 A 63 W, 3-Pin TO-3PF

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1mm

Betriebstemperatur min.

-55 °Cmm

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

2,5 A

Drain-Source-Spannung max.

1500 V

Drain-Source-Widerstand max.

9 Ω

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V