STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 17 A 125 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Name: STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 17 A 125 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Brand: STMICROELECTRONICS

Marke: STMICROELECTRONICS

Hersteller Artikel-Nr.: STB23NM50N

Produkt-Nr.: P-CDCXF4

Technische Daten

Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 17 A
Drain-Source-Spannung max.: 500 V
Drain-Source-Widerstand max.: 190 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs: 45 nC @ 10 Vmm
Gate-Schwellenspannung max.: 4V
Gate-Schwellenspannung min.: 2V
Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V
Gehäusegröße: D2PAK (TO-263)

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 17 A
Drain-Source-Spannung max. = 500 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 190 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 125 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 45 nC @ 10 Vmm
Höhe = 4.6mm

N-Kanal MDmesh™, 500 V, STMicroelectronics