STMicroelectronics MDmesh M5 N-Kanal, THT MOSFET 710 V / 58 A 79 W, 3-Pin TO-3PF
Technische Daten
- Breite
- 5.7mm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 58 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 710 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 45 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 3V
- Gate-Source Spannung max.
- –25 V, +25 V
- Höhe
- 26.7mm
Produktbeschreibung
N-Kanal MDmesh™ M5-Serie, STMicroelectronics. Die Leistungs-MOSFETs MDmesh M5 sind für Hochleistungs-PFC- und -PWM-Topologien optimiert. Die Hauptmerkmale umfassen geringe Verluste in Durchlassrichtung pro Siliziumfläche und eine geringe Gate-Ladung. Sie wurden für energiebewusste, kompakte und zuverlässige Anwendungen mit harten Schaltvorgängen wie Solarstromrichter, Netzteile für Verbrauchergeräte und elektronische Beleuchtungssteuerungen entwickelt.
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059042023213