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STMicroelectronics MDmesh M5 N-Kanal, THT MOSFET 710 V / 42 A 40 W, 3-Pin TO-220FP

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Marke: STMICROELECTRONICS

Hersteller Artikel-Nr.: STF57N65M5

Produkt-Nr.: P-CC6Y6Y

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip
1mm
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
42 A
Drain-Source-Spannung max.
710 V
Drain-Source-Widerstand max.
63 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.
5V
Gate-Schwellenspannung min.
3V
Gate-Source Spannung max.
–25 V, +25 V
Höhe
16.4mm

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 42 A
Drain-Source-Spannung max. = 710 V
Serie = MDmesh M5
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 63 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 40 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Höhe = 16.4mm

N-Kanal MDmesh™ M5-Serie, STMicroelectronics. Die Leistungs-MOSFETs MDmesh M5 sind für Hochleistungs-PFC- und -PWM-Topologien optimiert. Die Hauptmerkmale umfassen geringe Verluste in Durchlassrichtung pro Siliziumfläche und eine geringe Gate-Ladung. Sie wurden für energiebewusste, kompakte und zuverlässige Anwendungen mit harten Schaltvorgängen wie Solarstromrichter, Netzteile für Verbrauchergeräte und elektronische Beleuchtungssteuerungen entwickelt.

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059042269918