STMicroelectronics MDmesh M5 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 8,5 A 25 W, 3-Pin TO-220FP
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 8,5 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 650 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 430 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 3V
- Gate-Source Spannung max.
- +25 V
- Gehäusegröße
- TO-220FP
- Höhe
- 16.4mm
Produktbeschreibung
Dauer-Drainstrom max. = 8,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-220FP
Drain-Source-Widerstand max. = 430 mΩ
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Transistor-Werkstoff = Simm
N-Kanal MDmesh™ M5-Serie, STMicroelectronics. Die Leistungs-MOSFETs MDmesh M5 sind für Hochleistungs-PFC- und -PWM-Topologien optimiert. Die Hauptmerkmale umfassen geringe Verluste in Durchlassrichtung pro Siliziumfläche und eine geringe Gate-Ladung. Sie wurden für energiebewusste, kompakte und zuverlässige Anwendungen mit harten Schaltvorgängen wie Solarstromrichter, Netzteile für Verbrauchergeräte und elektronische Beleuchtungssteuerungen entwickelt.
Produktangebot
1,25 €
1,49 € inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Sichere Zahlung
Schneller Versand
etc.
Fragen zum Produkt?
Weitere Angebote
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059042879872
