STMicroelectronics MDmesh M5 N-Kanal, THT MOSFET 550 V / 13 A 90 W, 3-Pin TO-220

Name: STMicroelectronics MDmesh M5 N-Kanal, THT MOSFET 550 V / 13 A 90 W, 3-Pin TO-220
Brand: STMICROELECTRONICS

Marke: STMICROELECTRONICS

Hersteller Artikel-Nr.: STP18N55M5

Produkt-Nr.: P-CC2K6K

Technische Daten

Breite: 4.6mm
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 13 A
Drain-Source-Spannung max.: 550 V
Drain-Source-Widerstand max.: 240 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.: 5V
Gate-Schwellenspannung min.: 3V
Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V
Höhe: 15.75mm

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 13 A
Drain-Source-Spannung max. = 550 V
Serie = MDmesh M5
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 240 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 90 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Breite = 4.6mm
Höhe = 15.75mm

N-Kanal MDmesh™ M5-Serie, STMicroelectronics. Die Leistungs-MOSFETs MDmesh M5 sind für Hochleistungs-PFC- und -PWM-Topologien optimiert. Die Hauptmerkmale umfassen geringe Verluste in Durchlassrichtung pro Siliziumfläche und eine geringe Gate-Ladung. Sie wurden für energiebewusste, kompakte und zuverlässige Anwendungen mit harten Schaltvorgängen wie Solarstromrichter, Netzteile für Verbrauchergeräte und elektronische Beleuchtungssteuerungen entwickelt.